UNIVAC 1107 Thin-Film Memory
1962 · Thin-Film Memory · Werk 639 von 1.871
A thin-film memory assembly of 1962 on a test bench, a flat frame about sixty by seventy centimetres and thirteen centimetres deep dense with wiring in many colours, at its centre several small rectangular glass plates each carrying a regular grid of tiny mirror-bright metallic dots deposited on the glass, over the dots a fine multilayer lattice of printed copper and gold lines, each plate showing a delicate checked pattern, flat cables leading to a bench oscilloscope with a round green trace screen, an engineer's hand with a wristwatch adjusting a probe, behind the bench tall pale grey-white computer cabinets, even cool light.
- Wofür es benutzt wurde
- Der Dünnschichtspeicher des UNIVAC 1107 war kein Hauptspeicher, sondern ein kleiner, sehr schneller Registersatz. Nach dem Herstellerhandbuch UT-2440 von 1961 bestand dieser „control memory“ aus 128 Wörtern von 36 Bit in aufgedampften magnetischen Schichten, mit 300 Nanosekunden Zugriffs- und 600 Nanosekunden Zykluszeit. Darin lagen 15 Indexregister für die Adressrechnung, 16 Arithmetikregister, die der Programmierer wie 16 Akkumulatoren benutzte, und 36 Steuerregister für Ein- und Ausgabe, Echtzeituhr, Wiederholungszähler und Masken. Befehle und Daten standen daneben im Kernspeicher aus 16.384 bis 65.536 Wörtern. Jede 1107-Anlage hatte den Dünnschichtspeicher, unabhängig von der Größe des Kernspeichers.
- Was daran neu war
- Was der Dünnschichtspeicher konnte und Kernspeicher nicht: Er war in derselben Maschine im Zugriff etwa sechsmal und im Zyklus etwa siebenmal schneller als der Kernspeicher, 300 Nanosekunden gegen 1,8 Mikrosekunden und 600 Nanosekunden gegen 4 Mikrosekunden. Statt einzeln gefädelter Ringkerne trug er aufgedampfte Punkte einer ferromagnetischen Legierung auf Glas, durchzogen von einem mehrlagigen Drahtgitter als Ansteuer- und Leseleitungen. Der Widerhaken: Sperry Rand entwickelte die Technik im Auftrag der National Security Agency. IBM baute in Essex Junction in Vermont ein Werk für Dünnschichtspeicher; als die Halbleitertechnik Dünnschicht in Leistung und Kosten überholte, wurde das Werk auf die Serienfertigung integrierter Schaltungen umgestellt.
Was die Quellen offenlassen: Die Zahlen stammen aus dem Herstellerhandbuch UT-2440 von 1961; das Computer History Museum nennt 1962 als Jahr der kommerziellen Verfügbarkeit, verweist aber selbst auf ein Dokument von 1960, das einen früheren Termin nahelegt. Verkaufszahlen und Kosten des Speichers wurden nicht gefunden.